福雷地区韦里耶尔（，地区该省份为法国中南部省份，韦里位于该省西南部，福雷北起顺时针与索恩-卢瓦尔省、地区）是韦里法国卢瓦尔省的一个市镇， 地理 （）面积，罗讷省、多姆山省和阿列省接壤。 人口 于时的人口数量为人。 参见 卢瓦尔省市镇列表 参考文献 V位于法国奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯大区卢瓦尔省，城区）包括：。
上半场超神下半场隐身 伦纳德虎头蛇尾马刺惨败
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- 发布时间：2026-03-11 09:22
- 作者：叮当猫
3月11日讯 NBA常规赛，热火半场76-62领先奇才。
上半场，热火内线阿德巴约状态炸裂，在首节就狂轰夸张的31分，上半场打了19分钟，投篮24中13，三分球11中5，罚球14中12，砍下43分5篮板2抢断1盖帽的数据，正负值+11。
据统计，阿德巴约半场狂轰43分，也追平了NBA历史（自1996-97赛季有统计以来）半场（任意半场）第5高的得分，也是NBA历史上半场第二高的得分！
NBA历史半场得分Top5：
" width="255" height="120" />爆了！阿德巴约半场狂轰43分创历史半场第5高分 上半场历史第二！为进一步提高基础教育学校的教育教学质量，在上海援疆指挥部巴楚分指支持和策划下，在巴楚县教育局的指导和协助下，2024年巴楚县基础教育学校发展规划项目集结上海和喀什地区的专家指导团，近日，分别赴巴楚县第六小学、第二中学开展调研评估。
在第六小学召开的调研评估项目启动会上，指导团详细阐述了此次组团式视导活动的目的、内容和方法，表达了对六小未来发展的期许与信心。在随后的两天时间，专家指导团通过随堂听课、聆听学校汇报、师生访谈、中层调研等环节，深入教学第一线，直面学校问题，对六小教育教学现状做出了精准分析。他们在学校落实五育融合的育人课程设置、建设好新形式的教师群体、创造学生成长的环境和将“胡杨+臻”的办学理念更有效融入教育教学等方面提出了宝贵的建议。
在巴楚县第二中学，上海专家指导团深入一线课堂，参观校园环境及功能场室，观摩学校特色展示，了解学校的发展历程、办学特色、校园文化等情况。包括教学楼、图书馆、实验室等场所，查阅学校相关资料，听取了领导班子汇报，了解学校办学理念、育人目标、部门主要工作，开展了校情分析（学校发展SWOT分析），走进教室随机听课，开展了党建、科研、后勤、课程、教学工作、德育、文化、师资等部门工作的调研，教师对学校课程建设的建议（高中），调研学生课程需求（初中）。召开校情诊断反馈会、科学分析、精准“诊断”，形成助力学校教学提质增效的“一校一策”。
在第二中学校情诊断反馈会上，上海专家指导团从学校的办学思想、合理规范化管理、教育教学、教研，青年教师的培养提升、激发学生的学习兴趣、培养学生良好的学习习惯、小升初的衔接、初高中的衔接，课堂教学的改革、校本课程的设置、校园育人环境的改善等方面提出了建议，同时也充分肯定了二中好的经验和做法。专家指导团深入、全面、细致的反馈，对促进学校今后内涵式发展、转变教师观念，深化教育教学改革，推动办学质量整体提升有着重要的指导意义。
本项目开展期间，上海专家指导团通过对校园巡视、推门听课、查阅资料、参与教研活动、座谈访谈等形式详细了解两所代表学校的教学常规、“双减”、课堂教学、教学研究、县域义务教育优质均衡发展、校园安全、德育、思政、民族团结进步创建以及语言文字等工作开展情况，充分发挥了建议智囊的作用。
学无止境，教无止境，研无止境。两所学校领导均表示，此次组团式视导活动为学校教育工作指明了方向，对规范学校办学行为，加强教育教学管理工作等提供了切实可行的指导建议，学校将以本次调研为契机，以更高的站位、更实的措施、更强的担当，加强与上海援疆集团学校、结对帮扶兄弟学校、名优教师团队的交流合作，助推巴楚教育向高质量发展迈进！（通讯员：刘红霞）
" width="255" height="120" />如何提高基础教育的教学质量，上海专家们走进喀什的课堂……
" width="255" height="120" />来看看央行降息2021新消息 央行降息影响大吗？1 2 下一页 
城市沧桑变，“志”里有乾坤。数十年来，上海市地方志办公室“志、鉴、馆、网、库、刊、用、会、研、史”多业并举，孜孜不倦地记录下这座城市的峥嵘历程。海量的历史资料里书写着解放以来上海医疗卫生事业取得的长足进步。今天是上海解放75周年纪念日，让我们一起来聊聊“二号病”“宝塔糖”里的上海故事。
脚本 沈月明
出镜 李一能 江跃中 陈佳琳
拍摄 曹博文
剪辑 陈佳琳
" width="255" height="120" />江江三人行｜志在上海：“二号病”“宝塔糖”里的上海故事随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" width="255" height="120" />DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用
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